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直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器的壹般(ban)測量(liang)方法(fa)
更新(xin)時(shi)間(jian):2020-08-31
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直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器的壹般(ban)測量(liang)方法(fa)
直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器壹般(ban)測量(liang)時(shi),當(dang)接好線後(hou),先(xian)把(ba)聯接試品(pin)的線(xian)懸空(kong),升(sheng)到試驗電(dian)壓後讀取空(kong)試(shi)時(shi)的電暈和雜散(san)電流I,然(ran)後(hou)接上(shang)試(shi)品升(sheng)到試驗電(dian)壓讀取總電流,試(shi)品(pin)泄漏(lou)電(dian)流。下(xia)面(mian)了(le)解(jie)下(xia)直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器的測量(liang)方法(fa)。
註意:控(kong)制箱(xiang)數顯(xian)電流表讀數。
當(dang)需(xu)要測量(liang)被(bei)試品泄漏(lou)電(dian)流時(shi),則應在高(gao)壓(ya)側串入高(gao)壓(ya)微安(an)表,如(ru)圖3.1所示(shi)。

圖3.1 微安(an)表接入被試品CX高(gao)壓(ya)側接線圖
微安(an)表必須有(you)金屬(shu)屏(ping)蔽(bi),應采用屏(ping)蔽(bi)線(xian)與(yu)被(bei)試(shi)品聯接。高(gao)壓(ya)引線(xian)的(de)屏(ping)蔽(bi)引出(chu)應與儀表端(duan)的屏(ping)蔽(bi)緊(jin)密(mi)聯接。如果(guo)被試(shi)品(pin)表面(mian)有(you)汙(wu)穢(hui),要排(pai)除被(bei)試(shi)品(pin)表面(mian)泄(xie)漏(lou)電(dian)流的(de)影響(xiang),可(ke)在被試品(pin)高(gao)電(dian)位(wei)端(duan)用裸(luo)金屬(shu)軟線(xian)緊(jin)密(mi)繞(rao)幾(ji)圈(quan)後(hou)與(yu)高(gao)壓(ya)引線(xian)的(de)屏(ping)蔽(bi)相(xiang)聯接,如圖3.2所示(shi)。

圖3.2 排(pai)除被(bei)試(shi)品(pin)Cx表面(mian)影響(xiang)連接示(shi)意(yi)圖
對氧化(hua)鋅(xin)、磁吹避雷(lei)器等(deng)被試(shi)品(pin)接地(di)端(duan)可(ke)拆開的(de)情況下(xia),也(ye)可(ke)采(cai)用在被試品(pin)的底部(bu)(地(di)電(dian)位(wei)側)串(chuan)入電流表進行(xing)測量(liang)的(de)方式,如圖3.3所示(shi)。 當(dang)要排(pai)除被(bei)試(shi)品(pin)表面(mian)泄(xie)漏(lou)電(dian)流的(de)影響(xiang),可(ke)用軟的(de)裸(luo)銅線在試品地(di)電(dian)位(wei)端(duan)繞(rao)上(shang)幾(ji)圈並(bing)與(yu)屏(ping)蔽(bi)線(xian)的(de)屏(ping)蔽(bi)相(xiang)聯接,如圖3.4所示(shi)。

圖3.3 微安(an)表接入被試品Cx底部(bu)接線圖

圖3.4 排(pai)除被(bei)試(shi)品(pin)Cx表面(mian)影響(xiang)接線圖
本文是(shi)直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器的測量(liang)方法(fa),如果(guo)對直流高(gao)壓(ya)發(fa)生(sheng)器有(you)需(xu)求,可(ke)以聯系(xi)我(wo)們客服(fu)。
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