選(xuan)擇(ze)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)需(xu)要(yao)考慮的(de)幾個問(wen)題

選(xuan)擇(ze)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)需(xu)要(yao)考慮的(de)幾個問(wen)題

       測(ce)試場地(di)是(shi)否具(ju)有較高(gao)的(de)土(tu)壤(rang)電阻(zu)率(lv)和(he)/或需要(yao)較長的(de)測(ce)試引線(xian)?

  將(jiang)要(yao)測(ce)試的(de)區域(yu)的(de)土(tu)壤(rang)電阻(zu)率(lv)是(shi)否很高(gao)，或者輔助桿(gan)執(zhi)行(xing)電位下(xia)降(jiang)測(ce)試所(suo)需(xu)的(de)距離是(shi)否異(yi)常長。如(ru)果這些問(wen)題中(zhong)的(de)壹個或兩(liang)個的(de)答案都(dou)是(shi)肯定(ding)的(de)，並且您(nin)打(da)算執(zhi)行(xing)電位下(xia)降(jiang)和(he)/或土(tu)壤(rang)電阻(zu)率(lv)測(ce)試，則必(bi)須(xu)考(kao)慮儀(yi)器(qi)的(de)註入(ru)電流和(he)測(ce)試電壓(ya)。典(dian)型的(de)註入(ru)電流範(fan)圍(wei)從幾毫(hao)安(an)到(dao)幾百(bai)毫(hao)安(an)。

  高(gao)土(tu)壤(rang)電阻(zu)率(lv)通(tong)常對輔助電極產(chan)生高(gao)接(jie)觸電阻(zu)。當(dang)使(shi)用通(tong)常提供10mA測(ce)試電流的(de)低(di)成(cheng)本接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)時(shi)，這可(ke)能會(hui)引起關(guan)註; 因此，在(zai)這(zhe)種情況(kuang)下，我(wo)們建議使(shi)用能夠(gou)提(ti)供更(geng)高(gao)測(ce)試電流的(de)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)。在(zai)我(wo)們離開輔助電極的(de)話(hua)題(ti)之前(qian)，請(qing)註(zhu)意，夾式接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)不(bu)需要(yao)任何輔助桿(gan)或引線(xian)。另壹個優(you)點是(shi)您無(wu)需使用接(jie)地(di)系(xi)統來執(zhi)行(xing)測(ce)試。

       是(shi)否存(cun)在(zai)電磁(ci)幹(gan)擾(EMI)?

  另壹個需(xu)要(yao)考慮的(de)問(wen)題是(shi)測(ce)試現場(chang)是(shi)否存(cun)在(zai)電磁(ci)幹(gan)擾或EMI。EMI會導致讀(du)數不(bu)穩定或不準確(que)，特別(bie)是(shi)在(zai)較(jiao)低(di)的(de)測(ce)試頻率(lv)下(xia)。常見的(de)測(ce)試頻率(lv)是(shi)128Hz。具(ju)有自動(dong)測(ce)試頻率(lv)選(xuan)擇(ze)功(gong)能的(de)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)可(ke)以(yi)找到"幹(gan)凈(jing)"的(de)可(ke)用頻(pin)率(lv)，這(zhe)在(zai)高(gao)EMI環境中(zhong)具(ju)有優勢(shi)。

  鉗式(shi)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)在(zai)這(zhe)些(xie)位置(zhi)也(ye)可(ke)以(yi)有效，因為它(ta)們通常(chang)在(zai)較(jiao)高(gao)頻率(lv)下(xia)進(jin)行(xing)測(ce)試。較新(xin)的(de)AEMC鉗式(shi)模(mo)型還(hai)提供測(ce)試頻率(lv)選(xuan)擇(ze)。請(qing)註(zhu)意，在(zai)某(mou)些(xie)高(gao)感應(ying)環(huan)境中(zhong)，較低(di)的(de)測(ce)試頻率(lv)可(ke)以(yi)產(chan)生更(geng)可(ke)靠(kao)的(de)結果(guo)。

  如(ru)何(he)使用測(ce)量(liang)數據(ju)?

  接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)的(de)選(xuan)擇(ze)還(hai)取決(jue)於(yu)您打(da)算如(ru)何使用獲(huo)得的(de)數據(ju)。例如，如(ru)果(guo)您計劃(hua)保存(cun)，分(fen)析(xi)和(he)分(fen)發(fa)測(ce)試結果(guo)，則數據(ju)存儲和(he)報(bao)告生成(cheng)將成(cheng)為重要(yao)的(de)考慮(lv)因素。更新，更智(zhi)能的(de)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)，包括(kuo)3極和(he)4極測(ce)試儀(yi)和(he)鉗式(shi)模(mo)型，可(ke)以(yi)將測(ce)試結果(guo)存儲在(zai)內部(bu)存儲器(qi)中(zhong)。然(ran)後(hou)，可(ke)以(yi)使用計(ji)算機上(shang)運(yun)行(xing)的(de)軟件(jian)或智(zhi)能手(shou)機(ji)和(he)平(ping)板(ban)電腦的(de)移(yi)動應(ying)用程(cheng)序下(xia)載(zai)和(he)分(fen)析(xi)此數據(ju)。

  是(shi)否需(xu)要(yao)測(ce)試接(jie)地(di)系(xi)統組件(jian)的(de)連接(jie)?

  如果(guo)計(ji)劃(hua)測(ce)試由包括(kuo)地(di)墊(dian)或網格在(zai)內的(de)許(xu)多(duo)組件(jian)組成(cheng)的(de)復雜接(jie)地(di)系(xi)統，則需(xu)要(yao)測(ce)試各種元件(jian)之間(jian)的(de)連接(jie)的(de)連續性。該(gai)測(ce)試通常(chang)使用DC電壓(ya)和(he)電流進(jin)行(xing)。多(duo)個接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)提(ti)供此(ci)功(gong)能，測(ce)試電流高(gao)達幾百(bai)毫(hao)安(an)。此(ci)外，可(ke)以(yi)使用微(wei)歐姆(mu)表(biao)進(jin)行(xing)更(geng)完(wan)整(zheng)的(de)測(ce)試。使用該(gai)數字(zi)接(jie)地(di)電阻(zu)測(ce)試儀(yi)的(de)優勢(shi)在(zai)於(yu)能夠(gou)在(zai)高(gao)達200A的(de)高(gao)測(ce)試電流下進(jin)行(xing)測(ce)試。這可(ke)以(yi)揭示在(zai)使(shi)用毫(hao)安(an)範(fan)圍(wei)電流進(jin)行(xing)測(ce)試時並(bing)不總是(shi)顯(xian)露出的(de)問(wen)題區(qu)域。