YHM-3300絕(jue)緣(yuan)子鹽(yan)灰壹(yi)體(ti)機測(ce)試(shi)儀(yi)

YHM-3300絕(jue)緣(yuan)子鹽(yan)灰壹(yi)體(ti)機測(ce)試(shi)儀(yi)用於檢測(ce)電(dian)力(li)線(xian)路中絕(jue)緣(yuan)子的汙穢附著(zhe)情況(kuang)，該儀(yi)器可(ke)壹次測(ce)量(liang)絕(jue)緣(yuan)子鹽(yan)密(mi)度(du)和灰密(mi)度(du)，簡化了絕(jue)緣(yuan)子汙穢檢測(ce)的流(liu)程(cheng)，非(fei)常(chang)適(shi)合巡檢現場和實(shi)驗室(shi)使用。電(dian)力(li)線(xian)路中絕(jue)緣(yuan)子的汙穢程(cheng)度(du)主要(yao)通(tong)過鹽(yan)密(mi)度(du)（ESDD）和灰密(mi)度(du)的（NSDD）來(lai)表(biao)征(zheng)，該儀(yi)器同時(shi)具(ju)備(bei)測(ce)量(liang)鹽(yan)密(mi)度(du)和灰密(mi)度(du)的功(gong)能(neng)。內置(zhi)了常(chang)用(yong)溶液體(ti)積、絕(jue)緣(yuan)子型(xing)號(hao)，方(fang)便用戶(hu)直(zhi)接(jie)調用，絕(jue)緣(yuan)子型(xing)號(hao)與(yu)表面(mian)積支持(chi)用(yong)戶(hu)自定義，增(zeng)加數(shu)據保存(cun)功(gong)能(neng)，可(ke)保存(cun)十(shi)萬(wan)組測(ce)試(shi)數(shu)據，本(ben)機查看數(shu)據，支持(chi)U盤(pan)導(dao)出數(shu)據，並(bing)配(pei)有(you)上位機數(shu)據處(chu)理軟(ruan)件(jian)，方(fang)便用戶(hu)在(zai)計(ji)算(suan)機上查看、編輯、導出Excel表格。

2、功(gong)能(neng)說(shuo)明(ming)

2.1 儀(yi)器構成(cheng)

圖2.1

檢測(ce)儀(yi)各部(bu)分(fen)組成(cheng)如(ru)圖2.1，各(ge)部(bu)分(fen)功(gong)能(neng)如(ru)下：

顯(xian)示屏：該顯(xian)示屏為觸(chu)摸(mo)顯(xian)示屏，除顯(xian)示測(ce)量(liang)結(jie)果等(deng)數(shu)據外(wai)還(hai)可(ke)通(tong)過觸(chu)摸(mo)屏輸(shu)入(ru)參數(shu)、操(cao)作(zuo)檢測(ce)、歷(li)史(shi)記錄查(zha)看等功(gong)能(neng)。

打(da)印(yin)機：以小票(piao)形式(shi)打(da)印(yin)檢測(ce)結果，需(xu)要(yao)自行(xing)更換(huan)打印(yin)紙(zhi)。

檢測(ce)口：待檢測(ce)的溶(rong)液可(ke)通(tong)過檢測(ce)口倒入(ru)內部(bu)檢測(ce)容(rong)器以便進行(xing)測(ce)量(liang)。

排水(shui)口(kou)：測(ce)量(liang)完(wan)成(cheng)後用來(lai)排出被測(ce)溶液，排水(shui)前(qian)要(yao)插入(ru)儀(yi)器配套的排水(shui)管(guan)。

充(chong)電(dian)口：使用配(pei)套充(chong)電(dian)器通(tong)過充(chong)電(dian)口給(gei)儀(yi)器充(chong)電(dian)。

排水(shui)鍵(jian)：控制(zhi)儀(yi)器排水(shui)功(gong)能(neng)，當(dang)檢測(ce)結束(shu)後可(ke)按下此(ci)按鍵將(jiang)加入(ru)檢測(ce)口的溶(rong)液通(tong)過排水(shui)口(kou)排出。

電(dian)源(yuan)鍵(jian)：控制(zhi)儀(yi)器總電(dian)源(yuan)，按下儀(yi)器開機。

USB口：可(ke)插入(ru)儀(yi)器配套U盤進行(xing)數(shu)據導(dao)出或程(cheng)序(xu)升(sheng)級。

2.2 主要(yao)參數(shu)表及相關術語

相(xiang)關術語：

1、參照盤形懸式絕(jue)緣(yuan)子 reference cap and pin insulator

XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普(pu)通(tong)盤形懸式絕(jue)緣(yuan)子（根(gen)據(ju)GB/T 7253），通(tong)常7~9片組成(cheng)壹(yi)串(chuan)用(yong)來(lai)測(ce)量(liang)現(xian)場汙穢度(du)。

2、爬電(dian)距(ju)離(li) creepage distance

在兩個導(dao)電(dian)部(bu)分(fen)之(zhi)間(jian)，沿(yan)絕(jue)緣(yuan)體(ti)表面(mian)的最(zui)短(duan)距(ju)離(li)。

註(zhu)：水(shui)泥(ni)或其(qi)他非(fei)絕(jue)緣(yuan)膠合材料表面(mian)不認(ren)為是爬電(dian)距(ju)離(li)的構(gou)成(cheng)部(bu)分(fen)。如果(guo)絕(jue)緣(yuan)子的絕(jue)緣(yuan)件的某(mou)些(xie)部(bu)分(fen)覆(fu)蓋有(you)高電(dian)阻層(ceng)，則(ze)該部(bu)分(fen)應認(ren)為是有效絕(jue)緣(yuan)表面(mian)並(bing)且沿(yan)其(qi)上面(mian)的距(ju)離(li)應包(bao)括在(zai)爬電(dian)距(ju)離(li)內。

3、統(tong)壹爬電(dian)比(bi)距(ju) unified specific creepage distance（USCD）

絕(jue)緣(yuan)子的爬電(dian)距(ju)離(li)與(yu)其(qi)兩端承擔的最(zui)高運行(xing)電(dian)壓（對(dui)於交流系(xi)統(tong)，為(wei)最(zui)高(gao)相電(dian)壓）之(zhi)比(bi)，mm/kV。

4、附(fu)鹽(yan)密(mi)度(du) salt deposit density（SDD）

人(ren)工塗(tu)覆(fu)於給定絕(jue)緣(yuan)子表(biao)面(mian)（不包(bao)括金屬部(bu)件和裝配材(cai)料(liao)）上氯化鈉(na)總量(liang)除(chu)以表(biao)面(mian)積，mg/cm²。

5、等(deng)值附(fu)鹽(yan)密(mi)度(du) equivalent salt deposit density（ESDD）

絕(jue)緣(yuan)子單(dan)位絕(jue)緣(yuan)表面(mian)上的等(deng)值附(fu)鹽(yan)量(liang)，mg/cm²。

6、不溶(rong)物(wu)密(mi)度(du)（簡稱灰密(mi)） non soluble deposit density（NSDD）

絕(jue)緣(yuan)子單(dan)位絕(jue)緣(yuan)表面(mian)上清(qing)洗(xi)的非(fei)可(ke)溶殘留物總量(liang)除(chu)以表(biao)面(mian)積，mg/cm²。

7、現(xian)場等值鹽(yan)度(du) site equivalent salinity（SES）

根(gen)據(ju)GB/T 4585進行(xing)鹽(yan)霧(wu)試(shi)驗時的鹽(yan)度(du)。用該鹽(yan)度(du)試(shi)驗，在相(xiang)同絕(jue)緣(yuan)子和相同電(dian)壓下，產生的泄(xie)露電(dian)流峰(feng)值與(yu)現場自然(ran)汙穢條件(jian)下的泄(xie)露電(dian)流基本(ben)相(xiang)同。

8、現(xian)場汙穢度(du) site pollution severity（SPS）

在適(shi)當(dang)的時(shi)間(jian)段內測(ce)量(liang)到(dao)的汙穢嚴(yan)重(zhong)程(cheng)度(du)ESDD/NSDD或SES的最(zui)大值。

9、現(xian)場汙穢度(du)等級 site pollution severity class

將(jiang)汙穢嚴(yan)重(zhong)程(cheng)度(du)從(cong)非(fei)常(chang)輕到非(fei)常(chang)嚴(yan)重(zhong)按SPS的分(fen)級。

10、帶(dai)電(dian)系(xi)數(shu)K1 energy coefficient K1

同形(xing)式(shi)絕(jue)緣(yuan)子帶(dai)電(dian)所測(ce)ESDD/NSDD（SES）值與(yu)非(fei)帶(dai)電(dian)所測(ce)ESDD/NSDD（SES）值之(zhi)比(bi)，K1壹(yi)般為1.1~1.5。