HPS2510-64精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。

HPS2510-48精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。

HPS2510-32精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。

HPS5130精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。

HPS2510-24精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。

HPS5120精(jing)密多路(lu)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)采用(yong)高(gao)性能(neng)ARM微(wei)處(chu)理器和高(gao)密度(du)SMD貼(tie)裝工(gong)藝(yi)，米(mi)遠科技(ji)優化和創(chuang)新了(le)測量(liang)技(ji)術(shu)，很好(hao)地(di)消除了熱(re)電對被測(ce)元(yuan)件(jian)接觸的(de)影(ying)響(xiang)而引(yin)起(qi)的潛在(zai)誤(wu)差。